Les matières les plus généralement employées sont le silicium et le germanium dans lesquels des impuretés ont été présentées. Dans un semi-conducteurs de type N, il y a un excès d'électrons libres, ou charges négatives, tandis que dans un semi-conducteurs de type P, il y a une insuffisance d ' électrons et donc un excès des charges positives.
Les transistors et les diodes sont des composants clés des circuit intégrés et sont utilisés dans beaucoup d'applications : les récepteurs radio, ordinateurs, électroniques diverse, et instrumentation de contrôle automatique (par exemple, dans l'aéronautique et les missiles téléguidés). Depuis l'invention (annoncée en 1948) du transistor par les physiciens américains John BARDEEN, Walter H. Brattain, et William Shockley, beaucoup de types ont été conçus. Ceux-ci sont généralement classés en tant qu'effet bipolaire ou de champs.
Un transistor bipolaire se compose de trois couches :
- une couche haute et une couche basse, appelées l'émetteur et le collecteur, et qui sont d'un certain type de conductivité.
- ainsi qu'une couche moyenne, appelée base.
Les surfaces de séparation entre les diffèrents types de conducteurs s'appellent les jonctions PN. Les électrons traversent les jonctions d'une couche vers l'autre. L'action du transistor n'est réalisée que si les potentiels électriques sur les segments sont correctement polarisés, un petit courant entre l'émetteur et la base engendre un grand courant entre l'émetteur et le collecteur, produisant de ce fait une l'amplification. les fonctions d'un transistor à effet de champ sont semblables sauf que l'écoulement d'électron est modulées par un champ électrique externe. Dans un transistor à effet de champ (JFET), le champ électrique de contrôle est produit par une jonction PN polarisée en inverse.